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　　氮化硅薄膜窗口是透射電鏡常用的耗材，在樣品桿上進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)需求的不同，科研人員采用不同的樣品桿和氮化硅薄膜窗口進(jìn)行相關(guān)實(shí)驗(yàn)。有些實(shí)驗(yàn)，對樣品桿有加熱的功能需求，因此出現(xiàn)了加熱樣品桿和加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）。

　　加熱桿的電熱電子芯片采用*的加熱技術(shù)，在絕緣層上添加了額外電極圖案。這種分離電刺激的設(shè)計(jì)，減少了電流的泄漏和保持了信號的完整性，從而能夠在一個(gè)穩(wěn)定的平臺上同時(shí)進(jìn)行試樣的加熱和電化學(xué)表征。

　　電學(xué)表征：透射電鏡的電學(xué)測試面臨的最大挑戰(zhàn)是：表征納米尺度樣品的電學(xué)性能時(shí)，所需要的電流非常小，通常小于1nA，并且必須被準(zhǔn)確的加載和測量以確保結(jié)果的準(zhǔn)確性。選擇合適的加熱桿才能獲得可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。根據(jù)加熱桿，定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）或者加熱桿廠家直接提供都是可以的。

　　原位芯片提供的定制熱學(xué)/加熱芯片是依靠氮化硅膜超高的穩(wěn)定性和低熱容量的特點(diǎn)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的原位熱學(xué)觀測。芯片使用鉑為加熱電極層與信號反饋層，可耐受1200℃高溫。定制加熱氮化硅薄膜窗口（加熱芯片）可高分辨地對樣品的晶體結(jié)構(gòu)、化學(xué)組分、元素價(jià)態(tài)進(jìn)行綜合表征。適合：真空條件下的熱反應(yīng)過程(如材料相變)以及電學(xué)下的氧化還原反應(yīng)等。