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SiC晶片中的位錯如何做無損無接觸檢測
SiC作為代表性的第三代半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的物理化學(xué)性能。隨著材料及應(yīng)用的發(fā)展,SiC襯底在航天電源、電動汽車、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)電機(jī)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益重要。相比第一代半導(dǎo)體材料如Si和第二代半導(dǎo)體材料如GaAs而言,SiC襯底質(zhì)量還有很大的改善空間,是現(xiàn)階段研發(fā)和產(chǎn)業(yè)的熱點(diǎn)。其中SiC單晶缺陷,特別是一維位錯缺陷的檢測和降低,是近10年內(nèi)重要的研究內(nèi)容
CS-1 晶片內(nèi)位錯檢測儀
”Crystalline Tester CS1”是非破壞性、非接觸式檢測可見光（波長400～800nm）透明性晶體材料中由于殘留的缺陷、應(yīng)力引起的晶格畸變后分布情況的便捷式檢測設(shè)備。通過本設(shè)備可以實(shí)現(xiàn)快速、準(zhǔn)確地把握目檢下無法看到的晶體晶格畸變的狀態(tài)。
產(chǎn)品特征
產(chǎn)品特長 |
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可測量材料 |
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測試效果不佳材料 | ?無可視光透視性材料：Si、GaAs等 |
相關(guān)產(chǎn)品
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