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什么是SiC半導(dǎo)體?

2024-11-2  閱讀(717)

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什么是SiC半導(dǎo)體?


SiC(碳化硅)是一種由硅和碳制成的化合物半導(dǎo)體,由于其優(yōu)異的性能在功率器件領(lǐng)域受到關(guān)注。

 Si是我們常見(jiàn)的半導(dǎo)體主流材料,但SiC有望成為性能超越Si的下一代半導(dǎo)體材料。

與硅類(lèi)似,SiC可以形成柵氧化膜(SiO2)和p型層。

因此,可以直接應(yīng)用在硅中開(kāi)發(fā)的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的結(jié)構(gòu)。

這加速了SiC功率器件的發(fā)展,并使其在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化成為可能。

SiC 半導(dǎo)體的特性和優(yōu)點(diǎn)

功率半導(dǎo)體的性能由多種物理特性的平衡決定,包括擊穿場(chǎng)強(qiáng)、遷移率和導(dǎo)熱率。

“Variga 品質(zhì)因數(shù)"是綜合評(píng)價(jià)這些特性的指標(biāo),SiC顯示出高的數(shù)值,約為硅的 500 倍。這意味著SiC非常適合作為功率半導(dǎo)體材料。

SiC半導(dǎo)體的主要特性可概括如下。

  • 高擊穿場(chǎng)強(qiáng):可以承受更高的電壓,適用于處理高功率的電路。

  • 高導(dǎo)熱性:可以減少熱量產(chǎn)生并延長(zhǎng)設(shè)備的使用壽命。

  • 高遷移率:實(shí)現(xiàn)快速開(kāi)關(guān)操作并提高電源轉(zhuǎn)換效率。

這些特性使SiC功率器件相對(duì)于傳統(tǒng)硅功率器件具有以下優(yōu)勢(shì):

  • 高效率:減少功率損耗,顯著提高能源效率。

  • 小型化:高效率使得冷卻裝置可以做得更小,使得整個(gè)裝置變得更小成為可能。

  • 高可靠性:即使在高溫、高壓環(huán)境下也能穩(wěn)定運(yùn)行,讓您構(gòu)建高可靠的系統(tǒng)。

SiC半導(dǎo)體的應(yīng)用

傳統(tǒng)汽車(chē)由發(fā)動(dòng)機(jī)提供動(dòng)力。然而,近年來(lái),隨著人們對(duì)環(huán)境問(wèn)題的認(rèn)識(shí)不斷增強(qiáng),電動(dòng)汽車(chē)越來(lái)越受到人們的關(guān)注。因此,SiC半導(dǎo)體備受期待。

使用 SiC 半導(dǎo)體具有以下優(yōu)點(diǎn):

  • 增加續(xù)航里程:更有效地使用電力,增加一次充電可以行駛的距離。

  • 縮短充電時(shí)間:實(shí)現(xiàn)快速充電并顯著縮短充電時(shí)間。

  • 電機(jī)的小型化:通過(guò)使用SiC半導(dǎo)體,可以實(shí)現(xiàn)電機(jī)的小型化,有助于整車(chē)的輕量化。

SiC半導(dǎo)體安裝在各種類(lèi)型的車(chē)輛中,包括電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力汽車(chē)和插電式混合動(dòng)力汽車(chē)。

【擴(kuò)展到其他領(lǐng)域】

  • 能源領(lǐng)域:SiC半導(dǎo)體被用于將太陽(yáng)能、風(fēng)能等可再生能源高效傳輸至電網(wǎng)。 SiC半導(dǎo)體提供穩(wěn)定的發(fā)電電源,有助于提高整個(gè)電力系統(tǒng)的效率。

  • 信息通信領(lǐng)域:數(shù)據(jù)中心使用大量服務(wù)器來(lái)處理海量數(shù)據(jù)。冷卻這些服務(wù)器需要大量的能源。通過(guò)提高功率轉(zhuǎn)換效率,SiC 半導(dǎo)體減少了冷卻所需的能源,有助于數(shù)據(jù)中心的節(jié)能。

SiC半導(dǎo)體的挑戰(zhàn)

SiC功率半導(dǎo)體具有比硅更高的性能,但其成本高是一個(gè)問(wèn)題。造成這種情況的主要原因是SiC晶圓價(jià)格昂貴且難以保證長(zhǎng)期可靠性。

SiC晶圓的制造成本比硅晶圓高,而且含有許多晶體缺陷,因此可靠性較低。在這些晶體缺陷中,堆垛層錯(cuò)被認(rèn)為是長(zhǎng)期使用過(guò)程中器件性能劣化的主要原因。

當(dāng)電流流過(guò)堆垛層錯(cuò)時(shí),堆垛層錯(cuò)會(huì)擴(kuò)大,從而增加器件的電阻。這種現(xiàn)象稱(chēng)為雙極退化,是縮短 SiC 功率半導(dǎo)體壽命的一個(gè)因素。

為了解決這個(gè)問(wèn)題,目前正在努力開(kāi)發(fā)晶體缺陷更少的SiC晶片并改進(jìn)制造工藝。未來(lái),這些技術(shù)創(chuàng)新有望降低SiC功率半導(dǎo)體的成本,使其應(yīng)用于更廣泛的領(lǐng)域。



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