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目錄:瑞典百歐林科技有限公司>>QSense 石英晶體微天平>>石英晶體微天平>> QSense High Pressure 高壓石英微晶天平

QSense High Pressure 高壓石英微晶天平
  • QSense High Pressure 高壓石英微晶天平
參考價 面議
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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  • 所在地 上海市
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更新時間:2025-03-25 14:05:47瀏覽次數(shù):274評價

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應(yīng)用領(lǐng)域 綜合
QSense High Pressure 高壓石英微晶天平能夠監(jiān)測界面相互作用,幫助優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件并提高成功率。它具備高靈敏度,能實(shí)時跟蹤質(zhì)量、厚度和結(jié)構(gòu)變化,為用戶提供全面的解決方案。

QSense High Pressure 高壓石英微晶天平可以實(shí)時了解真實(shí)高溫高壓條件下,體系的組成成分、添加劑相關(guān)化學(xué)物質(zhì)之間的界面相互作用,為您的研究提供了一整套的解決方案。即使是微小的改變,也能對您的工作產(chǎn)生極大的影響,而將您的決定建立在分析科學(xué)的基礎(chǔ)上,則會增加成功的機(jī)會。借助QSense® High Pressure高壓模塊,我們希望能充分激發(fā)您的想象力,通過實(shí)驗(yàn)測試、分析討論和方法優(yōu)化以得到更好的結(jié)果。

 

QSense High Pressure 高壓石英微晶天平是一款可模擬現(xiàn)實(shí)高壓反應(yīng)條件的石英晶體微天平分析設(shè)備。壓力設(shè)置高至200Bar,溫度設(shè)置高至150℃。您也可以對儀器參數(shù)進(jìn)行個性化定制,以滿足特定的實(shí)驗(yàn)需求。

QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平

高壓石英晶體微天平由高溫樣品臺、高壓流動池、高壓泵、液體處理單元和電子單元組成

 

QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平——專家之選


您比我們更了解您的研究領(lǐng)域。然而,無論是努力提高石油產(chǎn)量,防止食品加工設(shè)備與管道的污染,還是體系反滲透膜的脫鹽效率,充分地了解反應(yīng)過程都具價值。通過提高對油巖界面相互作用的理解,您或許能在未來做出更明智的決定。

 

QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平——強(qiáng)有力的研究工具


QCM-D是耗散型石英晶體微天平的簡稱。該技術(shù)可記錄石英晶體芯片的振蕩頻率和耗散的變化,為在納米尺度上研究分子與表面的相互作用提供了新的視角。使用QSense® 耗散型石英晶體微天平分析儀,您可以實(shí)時跟蹤表面上發(fā)生的質(zhì)量、厚度和結(jié)構(gòu)物理特性等變化。

QSense High Pressure 高壓石英晶體微天平

QSense® 檢測得到的質(zhì)量吸附/脫附量以及反應(yīng)速率

 

模擬現(xiàn)實(shí)高壓反應(yīng)條件


不同的反應(yīng)條件下進(jìn)行的測試可能得到不同的結(jié)果,而這就是我們開發(fā)QSense® 高壓石英晶體微天平的驅(qū)動力。我們可提供芯片表面定制,以滿足您的不同實(shí)驗(yàn)需求。基于QCM-D的檢測結(jié)果,您可實(shí)時根據(jù)界面反應(yīng)得出結(jié)論,并對反應(yīng)流程進(jìn)行優(yōu)化。

 

  • 1. 在高壓和高溫的條件下進(jìn)行QCM-D實(shí)驗(yàn)

  • 2. 根據(jù)您的特定需求選擇芯片的材質(zhì)和涂層

  • 3. 使用不同的有機(jī)溶劑和樣品,篩選實(shí)驗(yàn)方案

 

選擇QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的三個理由:


  • 1. 基于對結(jié)果至關(guān)重要的表面相互作用過程信息做出更明智的決定

  • 2. 從表面材料、化學(xué)反應(yīng)、壓力和溫度等方面模擬真實(shí)的反應(yīng)條件

  • 3. 為您的實(shí)驗(yàn)室裝備一套高靈敏度的科學(xué)分析工具

 

QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的典型應(yīng)用領(lǐng)域:

 

 

石油開采

 

從地下油藏或?yàn)r青砂中提取石油需要仔細(xì)考慮工藝條件。通過運(yùn)用科學(xué)的分析可找到最為優(yōu)化的方法。

提高原油采收率
聚合物和表面活性劑的使用可以改變注入水的粘度和巖石的潤濕性,從而更好地溶解礦物中的石油。測量礦物芯片表面上聚合物或表面活性劑的吸附和釋放的原油,可以優(yōu)化采收液組成并提高原油采收率。使用較少的表面活性劑可以提供更環(huán)保的解決方案并降低成本。

燃料和潤滑油
潤滑油被廣泛用于控制摩擦和增加運(yùn)動部件的使用壽命。潤滑油溶液由各種具有表面活性的化學(xué)物質(zhì)組成。
優(yōu)化發(fā)動機(jī)潤滑油
了解表面活性化學(xué)物質(zhì)的吸附性質(zhì)是找到平衡潤滑劑的關(guān)鍵。利用不銹鋼芯片研究燃料和潤滑油添加劑對發(fā)動機(jī)性能的影響。實(shí)時觀察吸附情況,尋找化學(xué)物質(zhì)間的微妙平衡,從而優(yōu)化潤滑油的性能。
瀝青提取
從油砂中提取瀝青非常困難??梢允褂猛坑袨r青的二氧化硅芯片模擬油砂并對瀝青的釋放過程進(jìn)行分析。通過研究瀝青的脫附情況,找出適宜的pH和溫度條件,進(jìn)而提高采收率。

 

食品加工

食品加工設(shè)備經(jīng)過使用后,通常殘留的污垢中含有豐富的營養(yǎng)成分,成為微生物生長繁殖的培養(yǎng)基。只有清除污垢,才能保障加工后的食品處于衛(wèi)生的環(huán)境中。


防止污垢沉積

檢測污垢形成的過程,尋找方法或添加劑以減少污垢沉積。使用不銹鋼芯片模擬在設(shè)備和管道表面,體系的組成成分和加工溫度對結(jié)垢的影響,進(jìn)而找出適宜的化學(xué)成分、表面材料、壓力和溫度,用于預(yù)測在高溫高壓條件下,工業(yè)食品加工中不銹鋼設(shè)備的結(jié)垢/清洗行為。


 

管道流動保障
管道污染和堵塞是一個代價高昂的問題。通常通過添加化學(xué)物質(zhì)對管道流動進(jìn)行保障。

 

RO反滲透膜

RO反滲透膜通過對高濃度的一側(cè)施加壓力進(jìn)行逆滲透,工作壓力設(shè)置不當(dāng),會影響產(chǎn)水通量、脫鹽率以及RO膜元件的使用壽命。


工作壓力優(yōu)化

通過調(diào)節(jié)進(jìn)水的壓力,研究影響反滲透膜的產(chǎn)水通量和脫鹽率的因素,使用QSense系統(tǒng)模擬真實(shí)世界中高溫高壓條件的海水淡化設(shè)施中可能遇到的傳輸現(xiàn)象。

 

 

QSense® High Pressure高壓石英晶體微天平的技術(shù)參數(shù):


芯片和樣品處理系統(tǒng)

工作溫度a

4 – 150 °C, 由軟件控制,精度為 ± 0.02 °C

工作壓力

90 – 200 bar (與交替蠕動泵聯(lián)用,也可在常壓下工作)

芯片數(shù)量

1

芯片表面

超過50種標(biāo)準(zhǔn)材料,包括金屬、氧化物、碳化物和聚合物

 

例如:金、二氧化硅、不銹鋼SS2343 & SS2348、氧化鐵、高嶺石等

其他材料如鋼和礦物,可根據(jù)客戶要求定制

測量特性

時間分辨率,1個頻率

> 100 個數(shù)據(jù)點(diǎn)/秒

液相質(zhì)量靈敏度b

< 1 ng/cm2 (10 pg/mm2)

液相耗散靈敏度b

< 0.08 x 10-6

電子單元參數(shù)

電源和頻率

100 / 115-120 / 220 / 230-240 V AC, 50-60 Hz

 

電源應(yīng)正確接地

軟件和電腦要求

數(shù)據(jù)采集軟件 (QSoft)

USB 2.0, Windows XP 或更高版本

數(shù)據(jù)分析軟件(QSense Dfind)

操作系統(tǒng):64位Windows 7 SP1, 8, 8.1, 10或更高版本

 

顯示器分辨率:> 1366×768像素

內(nèi)存:>4 GB

數(shù)據(jù)輸入/輸出格式

Excel, BMP, JPG, WMF, GIF, PCX, PNG, TXT

尺寸和重量

高 (cm)

寬 (cm)

長 (cm)

重量 (kg)

電子單元

18

36

21

9

樣品池

8

9

11

2

高壓閥門和控制面板

68

50

50

ca 30

HPLC 泵

14

26

42

10

 

a 溫度的穩(wěn)定性取決于環(huán)境變化對樣品池升溫或冷卻的影響。如果附近有氣流或熱源使室溫變化超過±1℃,則可能無法達(dá)到系統(tǒng)設(shè)定的溫度穩(wěn)定性。

b 通過標(biāo)準(zhǔn)的QSense® 流動模塊采集數(shù)據(jù) (單頻模式下每5秒采集一個數(shù)據(jù)點(diǎn),假定Sauerbrey關(guān)系是有效的)。當(dāng)QSense®高壓系統(tǒng)芯片背面存在液體時,靈敏度會降低。

以上技術(shù)參數(shù)僅對此配置有效。所有技術(shù)指標(biāo)如有更改,恕不另行通知。

 

 

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