安裝篇

2020年春節(jié)前夕，通過工程師的安裝調(diào)試和細致的講解培訓，第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡（PSM II）在杭州創(chuàng)新研究院順安裝并完成驗收。該系統(tǒng)是國內(nèi)第二套PSM II，也是國內(nèi)第六套PSM。PSM II將用于塊體和薄膜熱電材料的塞貝克系數(shù)、均勻度檢測與新型熱電材料的研究。這套設備的投入使用將幫助杭州創(chuàng)新研究院在熱電材料域取得更快的發(fā)展。

德國工程師Dieter Platzek（中）與用戶老師合影

設備篇

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡是由德國PANCO公司與德國宇航中心聯(lián)合研發(fā)的款可以精確測量熱電材料Seebeck系數(shù)二維分布的設備。自推出以來，該設備獲得多個實驗室的*，已經(jīng)成為快速精準檢測樣品性能的重要手段。后經(jīng)研發(fā)人員的進步升，全新推出的第二代電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡-PSM II具有更高的位置分辨率和測量精度。

產(chǎn)品點：

• 可以精確測量Seebeck系數(shù)二維分布的商業(yè)化設備。

• 精確的力學傳感器可以確保探針與樣品良好的接觸。

• 采用鎖相技術，精度超過大型測試設備。

• 快速測量、方便使用，可測塊體和薄膜。

主要技術參數(shù)：

位置定位精度：單向 0.05μm；雙向 1μm

大掃描區(qū)域：100 mm × 100 mm

測量區(qū)域精度：5μm (與該區(qū)域的熱傳導有關)

信號測量精度：100 nV （采用高精度數(shù)字電壓表）

測量結果重復性：重復性誤差于3%

塞貝克系數(shù)測量誤差：< 3% (半導體)；< 5% (金屬)

電導率測量誤差：< 4%

測量速度：測量個點的時間4~20秒

應用域：

• 熱電材料、超導材料、燃料電池、電子陶瓷以及半導體材料的均勻度測量

• 測量功能梯度材料的梯度

• 觀察材料退化效應

• 監(jiān)測 NTC/PTC 材料的電阻漂移

• 固體電介質(zhì)材料中的傳導損耗

• 陰材料的電導率損耗

• 巨磁阻材料峰值溫度的降低，電阻率的變化

• 樣品的質(zhì)量監(jiān)控

電導率-塞貝克系數(shù)掃描探針顯微鏡-PSM II