隨著信息、電子和電力工業(yè)的快速的發(fā)展，以低成本生產(chǎn)具有高介電常數(shù)損耗的材料成為當(dāng)前關(guān)注的熱點，高介電常數(shù)材料無論實在電力工程，還是在微電子行業(yè)都具有十分重要的作用，研究高介電常數(shù)材料的結(jié)構(gòu)與性能，對其介電機理、壓敏機理和晶界效應(yīng)的探討具有深遠(yuǎn)意義。

    (InNb)_0.1Ti₀.₉O₂陶瓷不僅具有高介電系數(shù)，同時具有較小的介電損耗，是種應(yīng)用前景的巨介電材料。這種異的介電性質(zhì)的產(chǎn)生機理尚處于研究階段，單晶樣品是分析材料本征性質(zhì)的有武器。由于介電測試對于樣品尺寸的殊要求，為更真實地反應(yīng)樣品的介電性質(zhì)，獲得大尺寸、高質(zhì)量的(InNb)₀.₁Ti_0.9O₂單晶變得尤為重要。

浮區(qū)法單晶爐鍍金雙瓣對焦

    哈爾濱工業(yè)大學(xué)宋永等人用光學(xué)浮區(qū)法，通過對生長條件(氣氛、氣壓、流量、生長速率)的控制，zui終獲得了大尺寸(4mm直徑、30mm長)的單晶樣品。該單晶樣品的制備使用的是Quantum Design公司推出的光學(xué)浮區(qū)法單晶爐。這款高性能單晶爐采用鍍金雙面鏡、高反射曲面設(shè)計，zui高溫度超過2000℃；系統(tǒng)采用冷卻節(jié)能設(shè)計（無需額外冷卻系統(tǒng)），穩(wěn)定的電源輸出保證了燈絲的高精度恒定加熱功率，可制備高質(zhì)量的單晶。

光學(xué)浮區(qū)法單晶爐  型號：IRF01-001-00

    浮區(qū)法的主要點是不需要坩堝，故加熱不受坩堝熔點限制，因此可以生長熔點*材料；生長出的晶體沿軸向有較小的組分不均勻性，在生長過程中容易觀察等。浮區(qū)法晶體生長過程中，熔區(qū)的穩(wěn)定是靠表面張力與重力的平衡來保持，因此，材料要有較大的表面張力和較小的熔態(tài)密度，故浮區(qū)法對加熱技術(shù)和機械傳動裝置的要求都比較嚴(yán)格。

關(guān)于Quantum Design

Quantum Design是上的科研設(shè)備制造商和儀器分銷商，于1982年創(chuàng)建于美國加州圣迭戈。公司生產(chǎn)的 SQUID 磁學(xué)測量系統(tǒng) (MPMS) 和材料綜合物理性質(zhì)測量系統(tǒng) (PPMS) 已經(jīng)成為*的*測量平臺，廣泛的分布于上幾乎所有材料、物理、化學(xué)、納米等研究域的實驗室。2007年，Quantum Design并購了歐洲zui大的儀器分銷商LOT公司，現(xiàn)已成為的科學(xué)儀器域的跨國公司。目前公司擁有分布于英國、美國、法國、德國、巴西、印度，日本和中國等地區(qū)的數(shù)十個分公司和辦事處，業(yè)務(wù)遍及百多個國家和地區(qū)。中國地區(qū)是Quantum Design公司zui活躍的市場，公司在北京、上海和廣州設(shè)有分公司或辦事處。幾十年來，公司與中國的科研和教育域的合作有成效，為中國科研的進(jìn)步提供了進(jìn)的設(shè)備以及高質(zhì)量的服務(wù)。